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手机平板SoC对比
HiSilicon Kirin 659 vs Qualcomm Snapdragon 888 Plus
HiSilicon Kirin 659 vs Qualcomm Snapdragon 888 Plus
VS
HiSilicon Kirin 659
Qualcomm Snapdragon 888 Plus
我们比较了两个手机版SoC:8核 2360MHz HiSilicon Kirin 659 与 8核 2995MHz Qualcomm Snapdragon 888 Plus 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Qualcomm Snapdragon 888 Plus 的优势
更高的显卡性能FLOPS (1.8534 TFLOPS 与 0.0576 TFLOPS )
更高的主频 (2995MHz 与 2360MHz)
更先进的制程 (5nm 与 16nm)
发布时间晚4年5个月
评分
基准测试
安兔兔 10
HiSilicon Kirin 659
103952
Qualcomm Snapdragon 888 Plus
+705%
836957
Geekbench 6 单核
HiSilicon Kirin 659
215
Qualcomm Snapdragon 888 Plus
+472%
1230
Geekbench 6 多核
HiSilicon Kirin 659
810
Qualcomm Snapdragon 888 Plus
+366%
3778
FP32浮点性能
HiSilicon Kirin 659
57
Qualcomm Snapdragon 888 Plus
+3150%
1853
HiSilicon Kirin 659
VS
Qualcomm Snapdragon 888 Plus
处理器
4x 2.36 GHz – Cortex-A53
4x 1.7 GHz – Cortex-A53
架构
1x 2.995 GHz – Kryo 680 Prime (Cortex-X1)
3x 2.42 GHz – Kryo 680 Gold (Cortex-A78)
4x 1.8 GHz – Kryo 680 Silver (Cortex-A55)
2360 MHz
主频
2995 MHz
8
核心数
8
ARMv8-A
指令集
ARMv8.4-A
-
2级缓存
1 MB
-
3级缓存
0
16 nm
制程
5 nm
4
晶体管数
10.3
-
TDP功耗
8 W
-
制造厂
Samsung
显卡
Mali-T830 MP2
显卡型号
Adreno 660
900 MHz
主频
905 MHz
2
执行单元
2
16
着色单元
512
4
最大容量
24
0.0576 TFLOPS
FLOPS
1.8534 TFLOPS
1.0
Vulkan 版本
1.1
1.2
OpenCL 版本
2.0
11
DirectX 版本
12.1
内存
LPDDR3
内存类型
LPDDR5
933 MHz
内存频率
3200 MHz
2x 32 Bit
总线
4x 16 Bit
-
最大带宽
51.2 Gbit/s
多媒体
No
神经网络处理器 (NPU)
Hexagon 780
eMMC 5.1
存储类型
UFS 3.0, UFS 3.1
1920 x 1200
最大显示分辨率
3840 x 2160
1x 16MP, 2x 8MP
最大相机分辨率
1x 200MP, 2x 25MP
1K at 60FPS
视频拍摄
8K at 30FPS, 4K at 120FPS
1080p at 60FPS
视频播放
8K at 30FPS
H.264, H.265
视频编码
H.264, H.265, VP8, VP9
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
音频编码
AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
-
无线模块
X60
网络
LTE Cat. 7
4G网络
LTE Cat. 22
No
5G网络
Yes
Up to 300 Mbps
下载速度
Up to 7500 Mbps
Up to 50 Mbps
上传速度
Up to 3000 Mbps
4
Wi-Fi
6
4.2
蓝牙
5.2
GPS, GLONASS, Beidou
导航定位
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS, NAVIC
其他信息
2017年1月
发行日期
2021年6月
Mid range
级别
Flagship
Hi6250
型号
SM8350-AC
-
官网链接
Qualcomm Snapdragon 888 Plus
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