Qualcomm Snapdragon 855 vs HiSilicon Kirin 655
我们比较了两个手机版SoC：8核 2840MHz Qualcomm Snapdragon 855 与 8核 2120MHz HiSilicon Kirin 655 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Qualcomm Snapdragon 855 的优势
更高的显卡性能FLOPS (0.8985 TFLOPS 与 0.0576 TFLOPS )
更高的主频 (2840MHz 与 2120MHz)
更先进的制程 (7nm 与 16nm)
发布时间晚2年
HiSilicon Kirin 655 的优势
更低的功耗 (5W 与 6W)
评分
基准测试
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon 855
+396%
939
HiSilicon Kirin 655
189
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon 855
+311%
2855
HiSilicon Kirin 655
694
FP32浮点性能
Qualcomm Snapdragon 855
+1475%
898
HiSilicon Kirin 655
57
处理器
1x 2.84 GHz – Cortex-A76 (Kryo 485 Gold)
3x 2.42 GHz – Cortex-A76 (Kryo 485 Gold)
4x 1.8 GHz – Cortex-A55 (Kryo 485 Silver)
3x 2.42 GHz – Cortex-A76 (Kryo 485 Gold)
4x 1.8 GHz – Cortex-A55 (Kryo 485 Silver)
架构
4x 2.12 GHz – Cortex-A53
4x 1.7 GHz – Cortex-A53
4x 1.7 GHz – Cortex-A53
2840 MHz
主频
2120 MHz
8
核心数
8
ARMv8.2-A
指令集
ARMv8-A
1 MB
2级缓存
-
0
3级缓存
-
7 nm
制程
16 nm
6.7
晶体管数
4
6 W
TDP功耗
5 W
TSMC
制造厂
-
显卡
Adreno 640
显卡型号
Mali-T830 MP2
585 MHz
主频
900 MHz
2
执行单元
2
384
着色单元
16
16
最大容量
4
0.8985 TFLOPS
FLOPS
0.0576 TFLOPS
1.1
Vulkan 版本
1.0
2.0
OpenCL 版本
1.2
12.1
DirectX 版本
11
内存
LPDDR4X
内存类型
LPDDR3
2133 MHz
内存频率
933 MHz
4x 16 Bit
总线
2x 32 Bit
34.13 Gbit/s
最大带宽
-
多媒体
Hexagon 690
神经网络处理器 (NPU)
No
UFS 3.0
存储类型
eMMC 5.1
3840 x 2160
最大显示分辨率
1920 x 1200
1x 192MP, 2x 22MP
最大相机分辨率
1x 16MP, 2x 8MP
4K at 120FPS
视频拍摄
1K at 60FPS
8K at 30FPS, 4K at 120FPS
视频播放
1080p at 60FPS
H.264, H.265, VP8, VP9
视频编码
H.264, H.265
AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
音频编码
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
X24 LTE, X50 5G
无线模块
-
网络
LTE Cat. 20
4G网络
LTE Cat. 7
Yes
5G网络
No
Up to 5000 Mbps
下载速度
Up to 300 Mbps
Up to 1240 Mbps
上传速度
Up to 50 Mbps
6
Wi-Fi
4
5.0
蓝牙
4.1
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
导航定位
GPS, GLONASS, Beidou
