Qualcomm Snapdragon 730 vs HiSilicon Kirin 9000
我们比较了两个手机版SoC：8核 2200MHz Qualcomm Snapdragon 730 与 8核 3130MHz HiSilicon Kirin 9000 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Qualcomm Snapdragon 730 的优势
更低的功耗 (5W 与 6W)
HiSilicon Kirin 9000 的优势
更高的显卡性能FLOPS (2.3316 TFLOPS 与 0.3584 TFLOPS )
更大的最大带宽 (44Gbit/s 与 14.9Gbit/s)
更高的主频 (3130MHz 与 2200MHz)
更先进的制程 (5nm 与 8nm)
发布时间晚1年6个月
评分
基准测试
安兔兔 10
Qualcomm Snapdragon 730
367428
HiSilicon Kirin 9000
+147%
907784
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon 730
698
HiSilicon Kirin 9000
+81%
1266
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon 730
1645
HiSilicon Kirin 9000
+114%
3529
FP32浮点性能
Qualcomm Snapdragon 730
358
HiSilicon Kirin 9000
+551%
2331
处理器
2x 2.2 GHz – Kryo 470 Gold (Cortex-A76)
6x 1.8 GHz – Kryo 470 Silver (Cortex-A55)
6x 1.8 GHz – Kryo 470 Silver (Cortex-A55)
架构
1x 3.13 GHz – Cortex-A77
3x 2.54 GHz – Cortex-A77
4x 2.05 GHz – Cortex-A55
3x 2.54 GHz – Cortex-A77
4x 2.05 GHz – Cortex-A55
2200 MHz
主频
3130 MHz
8
核心数
8
ARMv8.2-A
指令集
ARMv8.2-A
8 nm
制程
5 nm
-
晶体管数
15.3
5 W
TDP功耗
6 W
Samsung
制造厂
TSMC
显卡
Adreno 618
显卡型号
Mali-G78 MP24
700 MHz
主频
759 MHz
2
执行单元
24
128
着色单元
64
8
最大容量
16
0.3584 TFLOPS
FLOPS
2.3316 TFLOPS
1.1
Vulkan 版本
1.3
2.0
OpenCL 版本
2.0
12.1
DirectX 版本
12
内存
LPDDR4X
内存类型
LPDDR5
1866 MHz
内存频率
2750 MHz
2x 16 Bit
总线
4x 16 Bit
14.9 Gbit/s
最大带宽
44 Gbit/s
多媒体
Qualcomm Hexagon 688
神经网络处理器 (NPU)
AI accelerator
UFS 3.0
存储类型
UFS 3.1
2520 x 1080
最大显示分辨率
3840 x 2160
1x 192MP, 2x 22MP
最大相机分辨率
-
4K at 60FPS
视频拍摄
4K at 60FPS
4K at 60FPS
视频播放
4K at 60FPS
H.264, H.265, VP8, VP9
视频编码
H.264, H.265, VP9
AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
音频编码
AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
X15
无线模块
Balong 5000
网络
LTE Cat. 15
4G网络
LTE Cat. 24
No
5G网络
Yes
Up to 800 Mbps
下载速度
Up to 4600 Mbps
Up to 150 Mbps
上传速度
Up to 2500 Mbps
6
Wi-Fi
6
5.0
蓝牙
5.2
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
导航定位
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, NAVIC
其他信息
2019年4月
发行日期
2020年10月
Mid range
级别
Flagship
SM7150-AA
型号
-
