HiSilicon Kirin 655 vs Qualcomm Snapdragon 855
我们比较了两个手机版SoC：8核 2120MHz HiSilicon Kirin 655 与 8核 2840MHz Qualcomm Snapdragon 855 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
HiSilicon Kirin 655 的优势
更低的功耗 (5W 与 6W)
Qualcomm Snapdragon 855 的优势
更高的显卡性能FLOPS (0.8985 TFLOPS 与 0.0576 TFLOPS )
更高的主频 (2840MHz 与 2120MHz)
更先进的制程 (7nm 与 16nm)
发布时间晚2年
评分
基准测试
Geekbench 6 单核
HiSilicon Kirin 655
189
Qualcomm Snapdragon 855
+396%
939
Geekbench 6 多核
HiSilicon Kirin 655
694
Qualcomm Snapdragon 855
+311%
2855
FP32浮点性能
HiSilicon Kirin 655
57
Qualcomm Snapdragon 855
+1475%
898
处理器
4x 2.12 GHz – Cortex-A53
4x 1.7 GHz – Cortex-A53
4x 1.7 GHz – Cortex-A53
架构
1x 2.84 GHz – Cortex-A76 (Kryo 485 Gold)
3x 2.42 GHz – Cortex-A76 (Kryo 485 Gold)
4x 1.8 GHz – Cortex-A55 (Kryo 485 Silver)
3x 2.42 GHz – Cortex-A76 (Kryo 485 Gold)
4x 1.8 GHz – Cortex-A55 (Kryo 485 Silver)
2120 MHz
主频
2840 MHz
8
核心数
8
ARMv8-A
指令集
ARMv8.2-A
-
2级缓存
1 MB
-
3级缓存
0
16 nm
制程
7 nm
4
晶体管数
6.7
5 W
TDP功耗
6 W
-
制造厂
TSMC
显卡
Mali-T830 MP2
显卡型号
Adreno 640
900 MHz
主频
585 MHz
2
执行单元
2
16
着色单元
384
4
最大容量
16
0.0576 TFLOPS
FLOPS
0.8985 TFLOPS
1.0
Vulkan 版本
1.1
1.2
OpenCL 版本
2.0
11
DirectX 版本
12.1
内存
LPDDR3
内存类型
LPDDR4X
933 MHz
内存频率
2133 MHz
2x 32 Bit
总线
4x 16 Bit
-
最大带宽
34.13 Gbit/s
多媒体
No
神经网络处理器 (NPU)
Hexagon 690
eMMC 5.1
存储类型
UFS 3.0
1920 x 1200
最大显示分辨率
3840 x 2160
1x 16MP, 2x 8MP
最大相机分辨率
1x 192MP, 2x 22MP
1K at 60FPS
视频拍摄
4K at 120FPS
1080p at 60FPS
视频播放
8K at 30FPS, 4K at 120FPS
H.264, H.265
视频编码
H.264, H.265, VP8, VP9
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
音频编码
AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
-
无线模块
X24 LTE, X50 5G
网络
LTE Cat. 7
4G网络
LTE Cat. 20
No
5G网络
Yes
Up to 300 Mbps
下载速度
Up to 5000 Mbps
Up to 50 Mbps
上传速度
Up to 1240 Mbps
4
Wi-Fi
6
4.1
蓝牙
5.0
GPS, GLONASS, Beidou
导航定位
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
