AMD Radeon E9171 MCM vs NVIDIA NVS 2100M
我们比较了两个定位移动平台的GPU：4GB显存的 Radeon E9171 MCM 与 512MB显存的 NVS 2100M 。您将了解两者在主要规格、基准测试、功耗等信息中哪个GPU具有更好的性能。
主要差异
AMD Radeon E9171 MCM 的优势
发布时间晚7年9个月
最大睿频1219MHz
更大的显存 (4GB 与 512GB)
更大的显存带宽 (96.00GB/s 与 12.64GB/s)
多出496个渲染核心
NVIDIA NVS 2100M 的优势
更低的TDP功耗 (11W 与 40W)
评分
基准测试
FP32浮点性能
Radeon E9171 MCM
+3100%
1.248 TFLOPS
NVS 2100M
0.039 TFLOPS
基本信息
2017年10月
发布日期
2010年1月
Embedded
产品系列
NVS Mobile
移动
类型
移动
PCIe 3.0 x8
总线接口
PCIe 2.0 x16
时钟速度
1124 MHz
基础频率
-
1219 MHz
最大睿频
-
1500 MHz
显存频率
790 MHz
显存
4GB
显存容量
512MB
GDDR5
显存类型
GDDR3
128bit
显存位宽
64bit
96.00GB/s
显存带宽
12.64GB/s
渲染规格
-
GPU大核数量
2
8
计算单元数
-
512
流处理器数量
16
32
纹理单元
8
16
光栅单元
4
-
-
-
-
-
-
16 KB (per CU)
一级缓存
-
512 KB
二级缓存
32 KB
-
-
-
理论性能
19.50 GPixel/s
像素填充率
2.140 GPixel/s
39.01 GTexel/s
纹理填充率
4.280 GTexel/s
1248 GFLOPS
FP16性能
-
1248 GFLOPS
FP32性能
39.36 GFLOPS
78.02 GFLOPS
FP64性能
-
板卡设计
40W
功耗
11W
-
-
-
No outputs
输出接口
No outputs
None
电源接口
-
图形处理器
Lexa
GPU型号
GT218
Lexa MCM Pro
GPU规格
-
GCN 4.0
架构
Tesla 2.0
GlobalFoundries
芯片厂
TSMC
14 nm
芯片工艺
40 nm
22亿
晶体管数量
2.6亿
103mm²
芯片面积
57mm²
图形特性
12 (12_0)
DirectX
11.1 (10_1)
4.6
OpenGL
3.3
2.1
OpenCL
1.1
1.2
Vulkan
N/A
-
CUDA
1.2
6.4
Shader Model
4.1
