NVIDIA NVS 5100M vs Intel Iris Xe MAX Graphics
我们比较了两个定位移动平台的GPU：1024MB显存的 NVS 5100M 与 4GB显存的 Iris Xe MAX Graphics 。您将了解两者在主要规格、基准测试、功耗等信息中哪个GPU具有更好的性能。
主要差异
Intel Iris Xe MAX Graphics 的优势
发布时间晚10年9个月
最大睿频1650MHz
更大的显存 (4GB 与 1024GB)
更大的显存带宽 (68.26GB/s 与 25.60GB/s)
多出720个渲染核心
更低的TDP功耗 (25W 与 35W)
评分
基准测试
FP32浮点性能
NVS 5100M
0.116 TFLOPS
Iris Xe MAX Graphics
+2084%
2.534 TFLOPS
基本信息
2010年1月
发布日期
2020年10月
NVS Mobile
产品系列
HD Graphics-M
移动
类型
移动
MXM-A (3.0)
总线接口
PCIe 4.0 x8
时钟速度
-
基础频率
300 MHz
-
最大睿频
1650 MHz
800 MHz
显存频率
2133 MHz
显存
1024MB
显存容量
4GB
GDDR3
显存类型
LPDDR4X
128bit
显存位宽
128bit
25.60GB/s
显存带宽
68.26GB/s
渲染规格
6
GPU大核数量
-
-
-
-
48
流处理器数量
768
16
纹理单元
48
8
光栅单元
24
-
-
-
-
-
-
-
-
-
64 KB
二级缓存
1024 KB
-
三级缓存
16 MB
理论性能
4.400 GPixel/s
像素填充率
39.60 GPixel/s
8.800 GTexel/s
纹理填充率
79.20 GTexel/s
-
FP16性能
5.069 TFLOPS
116.2 GFLOPS
FP32性能
2.534 TFLOPS
-
FP64性能
633.6 GFLOPS
板卡设计
35W
功耗
25W
-
-
-
No outputs
输出接口
No outputs
-
-
-
图形处理器
GT216
GPU型号
DG1
N10P-NS
GPU规格
-
Tesla 2.0
架构
Generation 12.1
TSMC
芯片厂
Intel
40 nm
芯片工艺
10 nm
4.86亿
晶体管数量
未知
100mm²
芯片面积
95mm²
图形特性
11.1 (10_1)
DirectX
12 (12_1)
3.3
OpenGL
4.6
1.1
OpenCL
3.0
N/A
Vulkan
1.3
1.2
CUDA
-
4.1
Shader Model
6.4
