Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core Ultra 9 185H
我们比较了两个笔记本版CPU：10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 与 16核 2.3GHz Intel Core Ultra 9 185H 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
更高规格的内存(8448 与 7467)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 120GB/s)
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 2.3GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 24MB)
更先进的制程 (4nm 与 7nm)
更低的TDP功耗 (23W 与 65W)
Intel Core Ultra 9 185H 的优势
更强的显卡性能
更新的PCI Express 版本 (5.0 与 4.0)
评分
基准测试
Cinebench R23 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Intel Core Ultra 9 185H
+22%
1824
Cinebench R23 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Intel Core Ultra 9 185H
+46%
17531
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Intel Core Ultra 9 185H
+4%
2447
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Intel Core Ultra 9 185H
+4%
13618
Cinebench 2024 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Intel Core Ultra 9 185H
109
Cinebench 2024 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Intel Core Ultra 9 185H
+26%
1070
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus
+12%
360
Intel Core Ultra 9 185H
319
Passmark CPU 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Intel Core Ultra 9 185H
+17%
3755
Passmark CPU 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
Intel Core Ultra 9 185H
+28%
27826
基本参数
2024年04月
发行日期
2023年12月
Qualcomm
厂商
Intel
笔记本
类型
笔记本
ARMv9
指令集
x86-64
Snapdragon X
内核架构
Meteor Lake
X1P-64-100
处理器编号
185H
Custom
插槽
FCBGA-2049
Qualcomm Adreno X1
核芯显卡
Arc Graphics (8-Cores)
Oryon
世代
Ultra 9 (Meteor Lake)
封装
4 nm
制程
7 nm
23 W
功耗
35 W
80 W
最大睿频功耗
115 W
峰值工作温度
110°C
Samsung TSMC
晶圆厂
Intel
mm²
晶圆尺寸
-
CPU性能
10
性能核
6
10
性能核线程
12
3.4 GHz
性能核基础频率
2.3 GHz
3.4 GHz
性能核睿频
5.1 GHz
-
能效核
10
-
能效核线程
10
-
能效核基础频率
1.8 GHz
-
能效核睿频
3.8 GHz
10
总核心数
16
10
总线程数
22
100 MHz
总线频率
100 MHz
34x
倍频
23x
-
一级缓存
112 K per core
-
二级缓存
2 MB per core
42 MB
三级缓存
24 MB shared
否
非锁频
否
1
对称多处理
1
内存参数
LPDDR5X-8448
内存类型
LPDDR5-7467, LPDDR5x-7467, DDR5-5600
64 GB
最大内存大小
96 GB
8
最大内存通道数
2
135 GB/s
最大内存带宽
120 GB/s
否
支持 ECC 内存
否
显卡参数
是
核显芯片
是
500 MHz
显卡基本频率
-
1200 MHz
显卡最大动态频率
2350 MHz
1536
着色器数量
128
48
纹理单元
8
6
光栅处理单元
4
6
执行单元
8
功耗
-
-
最大分辨率
7680x4320 - 60 Hz
3.8 TFLOPS
显卡性能
5.76 TFLOPS
