首页 对比 Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i7 12700H

Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i7 12700H

我们比较了两个笔记本版CPU:10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 与 14核 2.3GHz Intel Core i7 12700H 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。

主要差异

Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
发布时间晚2年3个月
更强的显卡性能
更高规格的内存(8448 与 5200)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 76.8GB/s)
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 2.3GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 24MB)
更先进的制程 (4nm 与 10nm)
更低的TDP功耗 (23W 与 45W)

评分

基准测试

Cinebench R23 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Intel Core i7 12700H +20%
1786
Cinebench R23 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Intel Core i7 12700H +33%
15877
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus +16%
2347
Intel Core i7 12700H
2011
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus +15%
12973
Intel Core i7 12700H
11276
Cinebench 2024 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus +5%
109
Intel Core i7 12700H
103
Cinebench 2024 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Intel Core i7 12700H +8%
916
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus +25%
360
Intel Core i7 12700H
287
Passmark CPU 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Intel Core i7 12700H +13%
3641
Passmark CPU 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
Intel Core i7 12700H +23%
26713
VS

基本参数

2024年04月
发行日期
2022年01月
Qualcomm
厂商
Intel
笔记本
类型
笔记本
ARMv9
指令集
x86-64
Snapdragon X
内核架构
Alder Lake-H
X1P-64-100
处理器编号
i7-12700H
Custom
插槽
BGA-1744
Qualcomm Adreno X1
核芯显卡
Iris Xe Graphics (96EU)
Oryon
世代
-

封装

4 nm
制程
10 nm
23 W
功耗
45 W
80 W
最大睿频功耗
-
峰值工作温度
100 °C
Samsung TSMC
晶圆厂
-
mm²
晶圆尺寸
-

CPU性能

10
性能核
6
10
性能核线程
-
3.4 GHz
性能核基础频率
2.3 GHz
3.4 GHz
性能核睿频
4.7 GHz
-
能效核
8
10
总核心数
14
10
总线程数
20
100 MHz
总线频率
100 MHz
34x
倍频
23x
-
一级缓存
80 K per core
-
二级缓存
1280 K per core
42 MB
三级缓存
24 MB shared
非锁频
1
对称多处理
-

内存参数

LPDDR5X-8448
内存类型
DDR5-4800, DDR4-3200, LPDDR5-5200, LPDDR4x-4267
64 GB
最大内存大小
64 GB
8
最大内存通道数
2
135 GB/s
最大内存带宽
76.8 GB/s
支持 ECC 内存

显卡参数

核显芯片
500 MHz
显卡基本频率
300 MHz
1200 MHz
显卡最大动态频率
1400 MHz
1536
着色器数量
768
48
纹理单元
48
6
光栅处理单元
24
6
执行单元
96
功耗
15 W
3.8 TFLOPS
显卡性能
2.150 TFLOPS

其他

4.0
PCIe版本
4.0
PCIe通道数
28

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