首页 对比 Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i3 1005G1

Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i3 1005G1

我们比较了两个笔记本版CPU:10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 与 2核 1.2GHz Intel Core i3 1005G1 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。

主要差异

Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
发布时间晚4年8个月
更高规格的内存(8448 与 3733)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 51.2GB/s)
更新的PCI Express 版本 (4.0 与 3.0)
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 1.2GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 4MB)
更先进的制程 (4nm 与 10nm)
Intel Core i3 1005G1 的优势
更低的TDP功耗 (15W 与 23W)

评分

基准测试

Cinebench R23 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus +35%
1488
Intel Core i3 1005G1
1099
Cinebench R23 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus +388%
11931
Intel Core i3 1005G1
2442
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus +289%
2347
Intel Core i3 1005G1
603
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus +1160%
12973
Intel Core i3 1005G1
1029
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus +1185%
360
Intel Core i3 1005G1
28
Passmark CPU 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus +44%
3208
Intel Core i3 1005G1
2222
Passmark CPU 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus +333%
21685
Intel Core i3 1005G1
5006
VS

基本参数

2024年04月
发行日期
2019年08月
Qualcomm
厂商
Intel
笔记本
类型
笔记本
ARMv9
指令集
x86-64
Snapdragon X
内核架构
Ice Lake
X1P-64-100
处理器编号
i3-1005G1
Custom
插槽
BGA-1526
Qualcomm Adreno X1
核芯显卡
UHD Graphics G1
Oryon
世代
-

封装

4 nm
制程
10 nm
23 W
功耗
15 W
80 W
最大睿频功耗
-
峰值工作温度
100 °C
Samsung TSMC
晶圆厂
-
mm²
晶圆尺寸
-

CPU性能

10
性能核
2
10
性能核线程
4
3.4 GHz
性能核基础频率
1.2 GHz
3.4 GHz
性能核睿频
3.4 GHz
10
总核心数
2
10
总线程数
4
100 MHz
总线频率
-
34x
倍频
12x
-
一级缓存
96 K per core
-
二级缓存
512 K per core
42 MB
三级缓存
4 MB shared
非锁频
1
对称多处理
-

内存参数

LPDDR5X-8448
内存类型
DDR4-3200, LPDDR4-3733
64 GB
最大内存大小
64 GB
8
最大内存通道数
2
135 GB/s
最大内存带宽
51.2 GB/s
支持 ECC 内存

显卡参数

核显芯片
500 MHz
显卡基本频率
300 MHz
1200 MHz
显卡最大动态频率
900 MHz
1536
着色器数量
256
48
纹理单元
32
6
光栅处理单元
4
6
执行单元
-
功耗
15 W
-
最大分辨率
5120x3200 - 60 Hz
3.8 TFLOPS
显卡性能
-

其他

4.0
PCIe版本
3.0
PCIe通道数
-
-
扩展指令集
SSE4.1, SSE4.2, AVX-2, AVX-512

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