Qualcomm Snapdragon X Plus vs AMD Ryzen AI 9 365
我们比较了两个笔记本版CPU：10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 与 10核 2.0GHz AMD Ryzen AI 9 365 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
更高规格的内存(8448 与 7500)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 89.6GB/s)
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 2.0GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 24MB)
更低的TDP功耗 (23W 与 54W)
AMD Ryzen AI 9 365 的优势
更强的显卡性能
评分
基准测试
Cinebench R23 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
AMD Ryzen AI 9 365
+27%
1895
Cinebench R23 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
AMD Ryzen AI 9 365
+59%
19027
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
AMD Ryzen AI 9 365
+19%
2814
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
AMD Ryzen AI 9 365
13012
Cinebench 2024 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
AMD Ryzen AI 9 365
+11%
121
Cinebench 2024 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
AMD Ryzen AI 9 365
+3%
872
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus
+40%
360
AMD Ryzen AI 9 365
257
Passmark CPU 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
AMD Ryzen AI 9 365
+27%
4100
Passmark CPU 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
AMD Ryzen AI 9 365
+43%
31034
基本参数
2024年04月
发行日期
2024年06月
Qualcomm
厂商
Amd
笔记本
类型
笔记本
ARMv9
指令集
x86-64
Snapdragon X
内核架构
Zen 5 (Strix Point)
X1P-64-100
处理器编号
-
Custom
插槽
FP8
Qualcomm Adreno X1
核芯显卡
Radeon 880M
Oryon
世代
Ryzen AI 9 (Zen 5 (Strix Point))
封装
-
晶体管数
未知
4 nm
制程
4 nm
23 W
功耗
15 W
80 W
最大睿频功耗
W
峰值工作温度
100 °C
Samsung TSMC
晶圆厂
TSMC
mm²
晶圆尺寸
-
-
I/O制程尺寸
6 nm
CPU性能
10
性能核
4
10
性能核线程
8
3.4 GHz
性能核基础频率
2.0 GHz
3.4 GHz
性能核睿频
5 GHz
-
能效核
6
-
能效核线程
12
-
能效核基础频率
2.0 GHz
-
能效核睿频
3.3 GHz
10
总核心数
10
10
总线程数
20
100 MHz
总线频率
100 MHz
34x
倍频
20x
-
一级缓存
64 K per core
-
二级缓存
10 MB
42 MB
三级缓存
24 MB
否
非锁频
否
1
对称多处理
1
内存参数
LPDDR5X-8448
内存类型
DDR5-5600, LPDDR5X-7500
64 GB
最大内存大小
256 GB
8
最大内存通道数
2
135 GB/s
最大内存带宽
89.6 GB/s
否
支持 ECC 内存
否
显卡参数
是
核显芯片
是
500 MHz
显卡基本频率
800 MHz
1200 MHz
显卡最大动态频率
2900 MHz
1536
着色器数量
768
48
纹理单元
48
6
光栅处理单元
32
6
执行单元
12
功耗
15 W
3.8 TFLOPS
显卡性能
4.45 TFLOPS
AI加速
-
NPU
AMD Ryzen™ AI
-
理论性能
50 TOPS
