首页 对比 Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 vs AMD Ryzen 9 7945HX3D

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 vs AMD Ryzen 9 7945HX3D

我们比较了两个笔记本版CPU:12核 3.8GHz Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 与 16核 2.3GHz AMD Ryzen 9 7945HX3D 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。

主要差异

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 的优势
更强的显卡性能
更高规格的内存(8448 与 5200)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 83.2GB/s)
更高的性能核基础频率 (3.8GHz 与 2.3GHz)
更先进的制程 (4nm 与 5nm)
更低的TDP功耗 (23W 与 55W)
AMD Ryzen 9 7945HX3D 的优势
更新的PCI Express 版本 (5 与 4.0)
更大的三级缓存 (128MB 与 42MB)

评分

基准测试

Cinebench R23 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100
1790
AMD Ryzen 9 7945HX3D +8%
1940
Cinebench R23 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100
14761
AMD Ryzen 9 7945HX3D +125%
33329
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +3%
2879
AMD Ryzen 9 7945HX3D
2783
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100
15200
AMD Ryzen 9 7945HX3D +5%
16080
VS

基本参数

2023年10月
发行日期
2023年07月
Qualcomm
厂商
AMD
笔记本
类型
笔记本
ARMv9
指令集
-
Snapdragon X
内核架构
Dragon Range
X1E-84-100
处理器编号
-
Custom
插槽
AMD Socket FL1
Qualcomm Adreno X1
核芯显卡
Radeon 610M
-
世代
Ryzen 9 (Zen 4 (Dragon Range))

封装

-
晶体管数
178.40 亿
4 nm
制程
5 nm
23 W
功耗
55 W
80 W
最大睿频功耗
-
-
峰值工作温度
89 °C
-
晶圆厂
TSMC
-
晶圆尺寸
2x71 mm²
-
I/O制程尺寸
6 nm
-
I/O晶圆尺寸
122 mm²

CPU性能

12
性能核
-
12
性能核线程
-
3.8 GHz
性能核基础频率
2.3 GHz
4.2 GHz
性能核睿频
5.4 GHz
12
总核心数
16
12
总线程数
32
-
总线频率
100 MHz
38x
倍频
23.0
-
一级缓存
64 KB per core
-
二级缓存
1 MB per core
42 MB
三级缓存
128 MB shared
非锁频
-
对称多处理
1

内存参数

LPDDR5x-8448
内存类型
DDR5-5200
64 GB
最大内存大小
64 GB
8
最大内存通道数
2
135 GB/s
最大内存带宽
83.2 GB/s
支持 ECC 内存

显卡参数

核显芯片
500 MHz
显卡基本频率
-
1500 MHz
显卡最大动态频率
2200 MHz
1536
着色器数量
-
48
纹理单元
-
6
光栅处理单元
-
6
执行单元
2
4.6 TFLOPS
显卡性能
0.49 TFLOPS

AI加速

Qualcomm Hexagon NPU
NPU
-
45 TOPS
理论性能
-

其他

4.0
PCIe版本
5
-
PCIe通道数
28

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