Intel Core Ultra 9 185H vs Qualcomm Snapdragon X Plus
我们比较了两个笔记本版CPU：16核 2.3GHz Intel Core Ultra 9 185H 与 10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Intel Core Ultra 9 185H 的优势
更强的显卡性能
更新的PCI Express 版本 (5.0 与 4.0)
Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
更高规格的内存(8448 与 7467)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 120GB/s)
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 2.3GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 24MB)
更先进的制程 (4nm 与 7nm)
更低的TDP功耗 (23W 与 65W)
评分
基准测试
Cinebench R23 单核
Intel Core Ultra 9 185H
+22%
1824
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 多核
Intel Core Ultra 9 185H
+46%
17531
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 单核
Intel Core Ultra 9 185H
+4%
2447
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Geekbench 6 多核
Intel Core Ultra 9 185H
+4%
13618
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Cinebench 2024 单核
Intel Core Ultra 9 185H
109
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Cinebench 2024 多核
Intel Core Ultra 9 185H
+26%
1070
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Blender
Intel Core Ultra 9 185H
319
Qualcomm Snapdragon X Plus
+12%
360
Passmark CPU 单核
Intel Core Ultra 9 185H
+17%
3755
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Passmark CPU 多核
Intel Core Ultra 9 185H
+28%
27826
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
基本参数
2023年12月
发行日期
2024年04月
Intel
厂商
Qualcomm
笔记本
类型
笔记本
x86-64
指令集
ARMv9
Meteor Lake
内核架构
Snapdragon X
185H
处理器编号
X1P-64-100
FCBGA-2049
插槽
Custom
Arc Graphics (8-Cores)
核芯显卡
Qualcomm Adreno X1
Ultra 9 (Meteor Lake)
世代
Oryon
封装
7 nm
制程
4 nm
35 W
功耗
23 W
115 W
最大睿频功耗
80 W
110°C
峰值工作温度
Intel
晶圆厂
Samsung TSMC
-
晶圆尺寸
mm²
CPU性能
6
性能核
10
12
性能核线程
10
2.3 GHz
性能核基础频率
3.4 GHz
5.1 GHz
性能核睿频
3.4 GHz
10
能效核
-
10
能效核线程
-
1.8 GHz
能效核基础频率
-
3.8 GHz
能效核睿频
-
16
总核心数
10
22
总线程数
10
100 MHz
总线频率
100 MHz
23x
倍频
34x
112 K per core
一级缓存
-
2 MB per core
二级缓存
-
24 MB shared
三级缓存
42 MB
否
非锁频
否
1
对称多处理
1
内存参数
LPDDR5-7467, LPDDR5x-7467, DDR5-5600
内存类型
LPDDR5X-8448
96 GB
最大内存大小
64 GB
2
最大内存通道数
8
120 GB/s
最大内存带宽
135 GB/s
否
支持 ECC 内存
否
显卡参数
是
核显芯片
是
-
显卡基本频率
500 MHz
2350 MHz
显卡最大动态频率
1200 MHz
128
着色器数量
1536
8
纹理单元
48
4
光栅处理单元
6
8
执行单元
6
-
功耗
7680x4320 - 60 Hz
最大分辨率
-
5.76 TFLOPS
显卡性能
3.8 TFLOPS
