Intel Core i7 13650HX vs Qualcomm Snapdragon X Plus
我们比较了两个笔记本版CPU：14核 2.6GHz Intel Core i7 13650HX 与 10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Intel Core i7 13650HX 的优势
更新的PCI Express 版本 (5.0 与 4.0)
Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
发布时间晚1年3个月
更强的显卡性能
更高规格的内存(8448 与 4800)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 76.8GB/s)
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 2.6GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 24MB)
更先进的制程 (4nm 与 10nm)
更低的TDP功耗 (23W 与 55W)
评分
基准测试
Cinebench R23 单核
Intel Core i7 13650HX
+25%
1869
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 多核
Intel Core i7 13650HX
+75%
20973
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 单核
Intel Core i7 13650HX
+5%
2484
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Geekbench 6 多核
Intel Core i7 13650HX
+5%
13670
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Blender
Intel Core i7 13650HX
294
Qualcomm Snapdragon X Plus
+22%
360
Passmark CPU 单核
Intel Core i7 13650HX
+19%
3847
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Passmark CPU 多核
Intel Core i7 13650HX
+47%
31912
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
基本参数
2023年01月
发行日期
2024年04月
Intel
厂商
Qualcomm
笔记本
类型
笔记本
x86-64
指令集
ARMv9
Raptor Lake
内核架构
Snapdragon X
i7-13650HX
处理器编号
X1P-64-100
BGA-1964
插槽
Custom
UHD Graphics (16EU)
核芯显卡
Qualcomm Adreno X1
-
世代
Oryon
封装
10 nm
制程
4 nm
45 W
功耗
23 W
157 W
最大睿频功耗
80 W
100°C
峰值工作温度
-
晶圆厂
Samsung TSMC
-
晶圆尺寸
mm²
CPU性能
6
性能核
10
12
性能核线程
10
2.6 GHz
性能核基础频率
3.4 GHz
4.9 GHz
性能核睿频
3.4 GHz
8
能效核
-
8
能效核线程
-
1.9 GHz
能效核基础频率
-
3.6 GHz
能效核睿频
-
14
总核心数
10
20
总线程数
10
100 MHz
总线频率
100 MHz
26x
倍频
34x
80 K per core
一级缓存
-
2 MB per core
二级缓存
-
24 MB shared
三级缓存
42 MB
是
非锁频
否
-
对称多处理
1
内存参数
DDR5-4800, DDR4-3200
内存类型
LPDDR5X-8448
192 GB
最大内存大小
64 GB
2
最大内存通道数
8
76.8 GB/s
最大内存带宽
135 GB/s
是
支持 ECC 内存
否
显卡参数
是
核显芯片
是
350 MHz
显卡基本频率
500 MHz
1550 MHz
显卡最大动态频率
1200 MHz
128
着色器数量
1536
16
纹理单元
48
8
光栅处理单元
6
16
执行单元
6
15 W
功耗
0.382 TFLOPS
显卡性能
3.8 TFLOPS
