AMD Ryzen AI 9 HX 370 vs Qualcomm Snapdragon X Plus
我们比较了两个笔记本版CPU：12核 2.0GHz AMD Ryzen AI 9 HX 370 与 10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
AMD Ryzen AI 9 HX 370 的优势
更强的显卡性能
Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
更高规格的内存(8448 与 8000)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 89.6GB/s)
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 2.0GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 24MB)
更低的TDP功耗 (23W 与 54W)
评分
基准测试
Cinebench R23 单核
AMD Ryzen AI 9 HX 370
+36%
2036
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 多核
AMD Ryzen AI 9 HX 370
+99%
23767
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 单核
AMD Ryzen AI 9 HX 370
+27%
2986
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Geekbench 6 多核
AMD Ryzen AI 9 HX 370
+23%
15971
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Cinebench 2024 单核
AMD Ryzen AI 9 HX 370
+13%
124
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Cinebench 2024 多核
AMD Ryzen AI 9 HX 370
+33%
1130
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Blender
AMD Ryzen AI 9 HX 370
306
Qualcomm Snapdragon X Plus
+17%
360
Passmark CPU 单核
AMD Ryzen AI 9 HX 370
+24%
3979
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Passmark CPU 多核
AMD Ryzen AI 9 HX 370
+63%
35349
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
基本参数
2024年06月
发行日期
2024年04月
Amd
厂商
Qualcomm
笔记本
类型
笔记本
x86-64
指令集
ARMv9
Zen 5 (Strix Point)
内核架构
Snapdragon X
-
处理器编号
X1P-64-100
FP8
插槽
Custom
Radeon 890M
核芯显卡
Qualcomm Adreno X1
Ryzen AI 300 Series
世代
Oryon
封装
未知
晶体管数
-
4 nm
制程
4 nm
15 W
功耗
23 W
W
最大睿频功耗
80 W
100 °C
峰值工作温度
TSMC
晶圆厂
Samsung TSMC
-
晶圆尺寸
mm²
6 nm
I/O制程尺寸
-
CPU性能
4
性能核
10
8
性能核线程
10
2.0 GHz
性能核基础频率
3.4 GHz
5.1 GHz
性能核睿频
3.4 GHz
8
能效核
-
16
能效核线程
-
2.0 GHz
能效核基础频率
-
3.3 GHz
能效核睿频
-
12
总核心数
10
24
总线程数
10
100 MHz
总线频率
100 MHz
20
倍频
34x
80 K per core
一级缓存
-
1 MB per core
二级缓存
-
24 MB shared
三级缓存
42 MB
否
非锁频
否
1
对称多处理
1
内存参数
DDR5-5600,LPDDR5X-8000
内存类型
LPDDR5X-8448
256 GB
最大内存大小
64 GB
2
最大内存通道数
8
89.6 GB/s
最大内存带宽
135 GB/s
否
支持 ECC 内存
否
显卡参数
是
核显芯片
是
800 MHz
显卡基本频率
500 MHz
2900 MHz
显卡最大动态频率
1200 MHz
1024
着色器数量
1536
64
纹理单元
48
40
光栅处理单元
6
16
执行单元
6
15
功耗
7680x4320 - 60 Hz
最大分辨率
-
5.94 TFLOPS
显卡性能
3.8 TFLOPS
AI加速
AMD Ryzen™ AI
NPU
-
50 TOPS
理论性能
-
